Stichpunkte

Allgemein
	die seit den 90er Jahren entwickelt wird
	Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speicher-Technologie
	wie DRAM
	die ihren elektrischen Widerstand unter dem Einfluss magnetischer Felder ändern
	sondern mit magnetischen Ladungselementen gespeichert - d.h. es wird die Eigenschaft bestimmter Materialien ausgenutzt
	Im Gegensatz zu herkömmlichen Speichertechnologien
	SRAM werden die Informationen nicht mit elektrischen
	Prinzipiell können verschiedene Wirkmechanismen angewandt werden: Anistropic Magneto Resistance (AMR) Giant Magneto Resistance (GMR) Tunneling Magneto Resistance (TMR)/Magnetischer Tunnelwiderstand Letztere ist derzeit die favorisierte Technologie für die Entwicklung Magnetoresistiver RAMs
	dass sie nichtflüchtig ist
	d.h. dass die Chips ihre gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Energieversorgung behalten
	Der Vorteil der MRAM Technologie liegt darin
	Damit können elektronische Geräte
	wie z.B
	realisiert werden
	wie einer Festplatte in den Arbeitsspeicher laden müssen
	die sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sind und nicht erst die zum Betrieb notwendigen Daten von einem Festspeicher
	Computer
	wie Flash
	können MRAMs so oft beschrieben werden wie herkömmlicher DRAM /SRAM: praktisch unendlich
	Im Gegensatz zu etablierten nichtflüchtigen Speichertechnologien
	Schreib und Lesezugriffszeiten (random access) werden im Bereich von DRAM bis SRAM liegen
	MRAM soll so die Vorteile der verschiedenen etablierten Speichertechnologien kombinieren und dadurch das Potential zum sogenannten 'Universal Memory' aufweisen
	SRAM und Flash ersetzen könnte
	der DRAM
	vorgestellt. [2] (http://www.heise.de/newsticker/result.xhtml?url=/newsticker/meldung/48245) Ende 2004 hat Freescale Semiconductor (ehemals Motorola Semiconductor) mit der Auslieferung von 4MBit-Prototypen (0
	der mit der 0
	ebenfalls in 0
	18µ) begonnen.[3] (http://www.freescale.com/webapp/sps/site/prod_summary.jsp?code=MR2A16A&nodeId=015424) Man erwartet die Serienfertigung von MRAM-Chips ab 2005
	die jedoch zunächst aufgrund von Kostenposition und Größenordnung eher für Nischenapplikationen geeignet sein werden. en:MRAM es:MRAM pl:MRAM
	18µ-Technologie
	18 Mikrometer-Technologie gefertigt wurde. [1] (http://www.heise.de/newsticker/data/ciw-10.06.03-000/) Im Juni 2004 hat die Firma Infineon den ersten 16 MBit MRAM-Baustein
	Im Sommer 2003 wurde ein 128-kbit-MRAM-Chip vorgestellt

Dieser Artikel basiert auf dem Artikel MRAM aus der freien Enzyklopädie wikipedia und steht unter der GNU Lizenz für freie Dokumentation. In der wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar.