Stichpunkte

Allgemein
	Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist eine spezielle des Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen. Er besteht aus Schichten verschiedener Halbleitermaterialien mit unterschiedlich großen Bandlücken (verbotene Zone)
	wobei das AlGaAs hoch n-dotiert und das GaAs nicht dotiert wird
	Häufig wird das Materialsystem Aluminium-Gallium-Arsenid/Gallium-Arsenid verwendet
	Da die verbotene Zone des AlGaAs größer ist als die des GaAs
	bildet sich an der Grenzfläche dieser beiden Materialien auf Seiten des GaAs ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) aus
	das als leitfähiger Kanal dienen kann
	Die Elektronenbeweglichkeit ist darin sehr hoch (vergl
	Namen des Bauelementes)
	ähnlich wie beim MESFET
	über ein Metallgate
	Der HEMT ist deshalb für Hochfrequenzanwendungen gut geeignet. Die Steuerung des Bauelementes erfolgt
	das sich direkt auf den n-AlGaAs befindet
	Das HEMT-Prinzip ist auch auf andere Materialsysteme wie InGaAs/InP/AlInAs und Si/SiGe anwendbar. Querschnitt eines InGaAs PHEMT en:HEMT

Dieser Artikel basiert auf dem Artikel High Electron Mobility Transistor aus der freien Enzyklopädie wikipedia und steht unter der GNU Lizenz für freie Dokumentation. In der wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar.